Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - FQP7N80C

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5 - 9 2.28€ 2.76€
10 - 24 2.16€ 2.61€
25 - 49 2.04€ 2.47€
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Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - FQP7N80C. Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.57 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1290pF. Costo): 120pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 26.4A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 27 nC, Crss bajo 10 pF. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.

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Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1420pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 26.4A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 95 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1420pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 26.4A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 95 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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