Transistor de canal N, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - FQPF19N20

Transistor de canal N, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - FQPF19N20. Transistor de canal N, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 11.8A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.12 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1220pF. Costo): 220pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 20 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Tecnología: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.