Transistor de canal N IKW40N120H3, TO-247, 40A, TO-247N, 1200V. Vivienda: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247N. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 2330pF. Corriente del colector: 80A. Costo): 185pF. Diodo CE: sí. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Diodo de germanio: no. Diodo incorporado: sí. Función: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop. Ic (pulso): 180A. Marcado en la caja: K40H1203. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 483W. Potencia: 483W. RoHS: sí. Td(apagado): 290 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión colector-emisor: 1200V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.05V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.8V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor IGBT. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:35