Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1010N

Transistor de canal N, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1010N
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5 - 9 1.66€ 2.01€
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25 - 49 1.49€ 1.80€
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Transistor de canal N, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1010N. Transistor de canal N, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.11 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3210pF. Costo): 690pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 290A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Utilizado para: -55...+175°C. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.

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Transistor de canal N, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 83A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.12 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 2800pF. Costo): 880pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación rápida, resistencia de encendido ultrabaja. Identificación (diablillo): 330A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 41 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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Transistor de canal N, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 83A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.12 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 2800pF. Costo): 880pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación rápida, resistencia de encendido ultrabaja. Identificación (diablillo): 330A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 41 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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