Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF840A

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF840A
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1 - 4 1.87€ 2.26€
5 - 9 1.78€ 2.15€
10 - 24 1.69€ 2.04€
25 - 49 1.59€ 1.92€
50 - 75 1.56€ 1.89€
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Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF840A. Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1018pF. Costo): 155pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 422 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 18:25.

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Transistor de canal N, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 4.8A. DI (...
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Transistor de canal N, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 4.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1300pF. Costo): 310pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 49 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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