Transistor de canal N, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4710

Transistor de canal N, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4710. Transistor de canal N, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 53A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 6160pF. Costo): 440pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 74 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidores DC-DC de alta frecuencia. Identificación (diablillo): 300A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: FB4710. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 41 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 01:25.