Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V - IRFP140

Transistor de canal N, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V - IRFP140
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1 - 4 2.47€ 2.99€
5 - 9 2.35€ 2.84€
10 - 24 2.22€ 2.69€
25 - 49 2.10€ 2.54€
50 - 74 2.05€ 2.48€
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Transistor de canal N, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V - IRFP140. Transistor de canal N, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.077 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1700pF. Costo): 550pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. IDss (mín.): 25uA. Nota: transistor complementario (par) IRFP9140. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Td(apagado): 53 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Potencia: 180W. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 04:25.

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