transistor de canal N IRFR3505, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( S

Descripción técnica del producto (IRFR3505):

Voltaje Vds(máx.): 55V. Idss (máx.): 250uA. DI (T=25°C): 71A. DI (T=100°C): 49A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Protección G-S: no. Td(apagado): 43 ns. IDss (mín.): 20uA. Td(encendido): 13 ns. Cantidad por caja: 1. Identificación (diablillo): 280A. Vgs(th) mín.: 2V. C(pulg): 2030pF. Costo): 470pF. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. Protección de la fuente de drenaje: sí. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v