transistor de canal N MBQ60T65PES, 650V, 60A, TO-247, TO-247
| Cantidad | Precio unitario | Ahorrar |
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| 1 – 59 | 8.67 € | — |
| 60+Mejor precio | 8.22 € | -5% |
Descripción técnica del producto (MBQ60T65PES):
Tensión colector/emisor Vceo: 650V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Vivienda: TO-247. Diodo de germanio: no. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Diodo CE: sí. Número de terminales: 3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de canal: N. Tecnología: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Td(apagado): 142ns. Td(encendido): 45 ns. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Ic (pulso): 180A. Marcado en la caja: 60T65PES. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 535W. Acondicionamiento: tubo de plástico. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.4V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Corriente del colector: 100A. Unidad de acondicionamiento: 30