Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 30A, 0.1uA, 30A, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB - P30N03A

Transistor de canal N, 30A, 0.1uA, 30A, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB - P30N03A
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2 - 2 5.04€ 6.10€
3 - 4 4.88€ 5.90€
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Transistor de canal N, 30A, 0.1uA, 30A, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB - P30N03A. Transistor de canal N, 30A, 0.1uA, 30A, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB. DI (T=25°C): 30A. Idss: 0.1uA. Idss (máx.): 30A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.014 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. C(pulg): 860pF. Costo): 450pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Producto original del fabricante Motorola. Cantidad en stock actualizada el 05/07/2025, 03:25.

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2SK1358
Transistor de canal N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 300uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1300pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Identificación (diablillo): 27A. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo MOS II.5. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V
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Transistor de canal N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 300uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1300pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Identificación (diablillo): 27A. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo MOS II.5. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V
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