Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF530N

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF530N
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Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF530N. Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.09 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 920pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 93 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 60A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 9.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 02:25.

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