Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK) - P50N03A-SMD

Transistor de canal N, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK) - P50N03A-SMD
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1 - 4 1.79€ 2.17€
5 - 9 1.70€ 2.06€
10 - 24 1.61€ 1.95€
25 - 49 1.52€ 1.84€
50 - 92 1.48€ 1.79€
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Transistor de canal N, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK) - P50N03A-SMD. Transistor de canal N, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). DI (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (máx.): 50A. Resistencia en encendido Rds activado: 5.1M Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-263 (D2PAK). C(pulg): 2780pF. Costo): 641pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 34 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 100A. Pd (disipación de potencia, máx.): 59.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 17:25.

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Transistor de canal N, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 27uA. Resistencia en encendido Rds activado: 7.6m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1900pF. Costo): 760pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Logic Level, Enhancement mode. Identificación (diablillo): 200A. IDss (mín.): 0.01uA. Marcado en la caja: PN03L06. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 136W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: OptiMOS® Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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Transistor de canal N, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 27uA. Resistencia en encendido Rds activado: 7.6m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1900pF. Costo): 760pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Logic Level, Enhancement mode. Identificación (diablillo): 200A. IDss (mín.): 0.01uA. Marcado en la caja: PN03L06. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 136W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: OptiMOS® Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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