Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V - SPA11N65C3

Transistor de canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V - SPA11N65C3
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Transistor de canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V - SPA11N65C3. Transistor de canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.34 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 1200pF. Costo): 390pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: caja aislada (2500VAC, 1 min). Identificación (diablillo): 33A. IDss (mín.): 0.1uA. Marcado en la caja: 11N65C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 05:25.

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Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.39 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP-3-1. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacitancia efectiva ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 33A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 11N80C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 41W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
SPA11N80C3
Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.39 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP-3-1. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacitancia efectiva ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 33A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 11N80C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 41W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
Conjunto de 1
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STF18NM60N

STF18NM60N

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STF18NM60N
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STF18NM60N
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