Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
0
Categorías de Producto :
Audio
>
307
Automatización
>
19
Cables
>
1760
Cajas para electrónica
>
1202
Componentes pasivos
>
10159
Computer
>
56
Conectores
>
5642
Electrónica de ocio
>
529
Energía
>
1281
Enfriamiento
>
750
Herramientas
>
1366
Interruptores
>
926
Optoelectrónica
>
1955
Partes mecanicas
>
423
Protección eléctrica
>
1131
Relés
>
843
Reparando
>
943
Semiconductores
>
14316
Transformadores
>
547
Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP11NM60FP

Transistor de canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP11NM60FP
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 3.98€ 4.82€
5 - 9 3.79€ 4.59€
10 - 24 3.59€ 4.34€
25 - 49 3.39€ 4.10€
50 - 99 3.31€ 4.01€
100+ 3.11€ 3.76€
Cantidad U.P
1 - 4 3.98€ 4.82€
5 - 9 3.79€ 4.59€
10 - 24 3.59€ 4.34€
25 - 49 3.39€ 4.10€
50 - 99 3.31€ 4.01€
100+ 3.11€ 3.76€
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
En ruptura de stock
Conjunto de 1

Transistor de canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP11NM60FP. Transistor de canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1000pF. Costo): 230pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 6 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: MDmesh Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 08:25.

Documentación técnica

Productos equivalentes :

Cantidad en inventario : 17
STF11NM60ND

STF11NM60ND

Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 6.3A. D...
STF11NM60ND
Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.37 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 850pF. Costo): 44pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: MDmesh II POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
STF11NM60ND
Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.37 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 850pF. Costo): 44pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: MDmesh II POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
Conjunto de 1
5.08€ IVA incl.
(4.20€ sin IVA)
5.08€
Cantidad en inventario : 39
STP13NM60N

STP13NM60N

Transistor de canal N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 6.93A. DI ...
STP13NM60N
Transistor de canal N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 6.93A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.28 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 790pF. Costo): 60pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 13NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: MDmesh™ II Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: ID pulse 44A. Protección G-S: NINCS
STP13NM60N
Transistor de canal N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 6.93A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.28 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 790pF. Costo): 60pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 13NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: MDmesh™ II Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: ID pulse 44A. Protección G-S: NINCS
Conjunto de 1
2.69€ IVA incl.
(2.22€ sin IVA)
2.69€

También recomendamos :

Cantidad en inventario : 673
FRN01WK022JA10

FRN01WK022JA10

Resistencia: 2.2 Ohms. Potencia: 1W. Tipo de resistencia: resistencia fusible. Estabilidad de temper...
FRN01WK022JA10
[LONGDESCRIPTION]
FRN01WK022JA10
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.19€ IVA incl.
(0.16€ sin IVA)
0.19€
Cantidad en inventario : 122
PKC136

PKC136

Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Material semiconductor: silicio. ...
PKC136
[LONGDESCRIPTION]
PKC136
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.75€ IVA incl.
(1.45€ sin IVA)
1.75€
Cantidad en inventario : 122
SK24A

SK24A

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO-21...
SK24A
[LONGDESCRIPTION]
SK24A
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.33€ IVA incl.
(0.27€ sin IVA)
0.33€
Cantidad en inventario : 80
FAN7530M

FAN7530M

Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)....
FAN7530M
[LONGDESCRIPTION]
FAN7530M
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
3.75€ IVA incl.
(3.10€ sin IVA)
3.75€
Cantidad en inventario : 23
IHW20N135R3

IHW20N135R3

Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (...
IHW20N135R3
[LONGDESCRIPTION]
IHW20N135R3
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
7.19€ IVA incl.
(5.94€ sin IVA)
7.19€
Cantidad en inventario : 1458
ICE3BR0665J

ICE3BR0665J

Función: Arranque de celda (modo jitter de frecuencia) en FullPak . Número de terminales: 8:1. Ro...
ICE3BR0665J
[LONGDESCRIPTION]
ICE3BR0665J
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
5.03€ IVA incl.
(4.16€ sin IVA)
5.03€
Cantidad en inventario : 34
STD13NM60N

STD13NM60N

Transistor de canal N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. DI (T=100°C): 6....
STD13NM60N
[LONGDESCRIPTION]
STD13NM60N
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.96€ IVA incl.
(2.45€ sin IVA)
2.96€
Cantidad en inventario : 605
FRN01WK0101A10

FRN01WK0101A10

Resistencia: 100 Ohms. Potencia: 1W. Tipo de resistencia: resistencia fusible. Estabilidad de temper...
FRN01WK0101A10
[LONGDESCRIPTION]
FRN01WK0101A10
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.1174€ IVA incl.
(0.0970€ sin IVA)
0.1174€
Cantidad en inventario : 4734
CFR0W4J010JA50

CFR0W4J010JA50

Resistencia: 1 Ohm. Potencia: 0.25W. Tipo de resistencia: capa de carbono. Número de terminales: 2....
CFR0W4J010JA50
[LONGDESCRIPTION]
CFR0W4J010JA50
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0206€ IVA incl.
(0.0170€ sin IVA)
0.0206€
Cantidad en inventario : 31
STPS20H100CT

STPS20H100CT

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 250A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220A...
STPS20H100CT
[LONGDESCRIPTION]
STPS20H100CT
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.75€ IVA incl.
(1.45€ sin IVA)
1.75€

Información y ayuda técnica.

Por telefono :
Por email
Condiciones generales de venta

Pago y entrega

¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!

Suscríbete al boletín

Acepto recibir correos electrónicos y entiendo que puedo cancelar mi suscripción en cualquier momento después de suscribirme..

Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.