Transistor de canal N STP7NK80ZFP, 800V, 1.5 Ohms, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 800V. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 50uA. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1138pF. Cantidad por caja: 1. Corriente máxima de drenaje: 5.2A. Costo): 122pF. Diodo Trr (Mín.): 530 ns. Función: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 20.8A. Marcado en la caja: P7NK80ZFP. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: SuperMESH. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3.75V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58