transistor de canal N STW34NB20, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V

transistor de canal N STW34NB20, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
10.31€
5-24
9.48€
25-49
8.82€
50+
8.21€
Cantidad en inventario: 10

Transistor de canal N STW34NB20, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.62 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 2400pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 650pF. Diodo Trr (Mín.): 290 ns. Función: PowerMESH™ MOSFET. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 136A. Marcado en la caja: W34NB20. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Spec info: Fuentes de alimentación conmutadas SMPS, convertidores CC-CA. Td(apagado): 17 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 30. Vgs(th) mín.: 4 v. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:08

STW34NB20
32 parámetros
DI (T=100°C)
21A
DI (T=25°C)
34A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.62 Ohms
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247
Voltaje Vds(máx.)
200V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
2400pF
Cantidad por caja
1
Costo)
650pF
Diodo Trr (Mín.)
290 ns
Función
PowerMESH™ MOSFET
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
136A
Marcado en la caja
W34NB20
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
180W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Spec info
Fuentes de alimentación conmutadas SMPS, convertidores CC-CA
Td(apagado)
17 ns
Td(encendido)
30 ns
Temperatura
+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
30
Vgs(th) mín.
4 v
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics