Transistor de canal P IRF9640PBF, TO220AB, -200V, 11A, -200V. Vivienda: TO220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): -200V. Corriente máxima de drenaje: 11A. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -200V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1200pF. Características: -. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -11A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 11A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRF9640PBF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Polaridad: MOSFET P. Potencia: 125W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.5 Ohms. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. RoHS: sí. Serie: -. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Tipo de canal: P. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): -200V. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22