transistor de canal P IRFR5505, D-PAK ( TO-252 ), 18A, 250uA, D-PAK TO-252AA, 55V

transistor de canal P IRFR5505, D-PAK ( TO-252 ), 18A, 250uA, D-PAK TO-252AA, 55V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.01€
5-24
0.83€
25-49
0.72€
50-99
0.65€
100+
0.56€
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Cantidad en inventario: 84

Transistor de canal P IRFR5505, D-PAK ( TO-252 ), 18A, 250uA, D-PAK TO-252AA, 55V. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 650pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 21.3nC. Corriente de drenaje: -18A. Costo): 270pF. DI (T=100°C): 11A. Equivalentes: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 64A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 57W. Polaridad: unipolares. Potencia: 57W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.11 Ohms. Resistencia térmica de alojamiento: 2.2K/W. RoHS: sí. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: -55V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 19/12/2025, 04:54

Documentación técnica (PDF)
IRFR5505
34 parámetros
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
DI (T=25°C)
18A
Idss (máx.)
250uA
Vivienda (según ficha técnica)
D-PAK TO-252AA
Voltaje Vds(máx.)
55V
C(pulg)
650pF
Cantidad por caja
1
Cargar
21.3nC
Corriente de drenaje
-18A
Costo)
270pF
DI (T=100°C)
11A
Equivalentes
IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF
Función
Conmutación de alta velocidad
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
64A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Pd (disipación de potencia, máx.)
57W
Polaridad
unipolares
Potencia
57W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
Resistencia en encendido Rds activado
0.11 Ohms
Resistencia térmica de alojamiento
2.2K/W
RoHS
Td(apagado)
20 ns
Td(encendido)
12 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Voltaje de fuente de drenaje
-55V
Voltaje de fuente de puerta
20V, ±20V
Producto original del fabricante
International Rectifier