Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor de canal P, 3A, 3A, 200V - SFS9620

Transistor de canal P, 3A, 3A, 200V - SFS9620
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1 - 4 1.58€ 1.91€
5 - 9 1.50€ 1.82€
10 - 24 1.45€ 1.75€
25 - 38 1.42€ 1.72€
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Transistor de canal P, 3A, 3A, 200V - SFS9620. Transistor de canal P, 3A, 3A, 200V. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Pd (disipación de potencia, máx.): 28W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Tecnología: V-MOS (F). Producto original del fabricante Samsung. Cantidad en stock actualizada el 14/05/2025, 04:25.

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Transistor de canal P, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 500uA....
IRF9620
Transistor de canal P, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 350pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 14A. DI (T=100°C): 2A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. RoHS: sí. Spec info: Conmutación de alta velocidad. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
IRF9620
Transistor de canal P, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 350pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 14A. DI (T=100°C): 2A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. RoHS: sí. Spec info: Conmutación de alta velocidad. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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