Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor de canal P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v - SI9435BDY

Transistor de canal P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v - SI9435BDY
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Transistor de canal P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v - SI9435BDY. Transistor de canal P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 5.3A. Idss (máx.): 5.3A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.055 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: V-MOS. Producto original del fabricante Vishay. Cantidad en stock actualizada el 26/07/2025, 09:25.

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Transistor de canal P, SO, SO-8, 30 v, 5.3A, 100nA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. DI (T=25°C): 5.3A. Idss (máx.): 100nA. RoHS: sí. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: P-Channel PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V. C(pulg): 528pF. Costo): 132pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 50A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.042 Ohms. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 14 ns
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Transistor de canal P, SO, SO-8, 30 v, 5.3A, 100nA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. DI (T=25°C): 5.3A. Idss (máx.): 100nA. RoHS: sí. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: P-Channel PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V. C(pulg): 528pF. Costo): 132pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 50A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.042 Ohms. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 14 ns
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