Transistor de canal P STD10P6F6, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, -60V, 10A, 10uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 340pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 340pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Costo): 40pF. DI (T=100°C): 7.2A. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ -10A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -10A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Función: conmutación de circuitos. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 40A. Marcado del fabricante: 10P6F6. Marcado en la caja: 10P6F6. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.13 Ohms. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 14 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 64 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: MOSFET de potencia STRipFET™ II de carga de puerta baja. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 64 ns. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54