Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores Transistores IGBT

Transistor IGBT HGTG20N60A4

Transistor IGBT HGTG20N60A4
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1 - 1 13.68€ 16.55€
2 - 2 13.00€ 15.73€
3 - 4 12.31€ 14.90€
5 - 9 11.63€ 14.07€
10 - 14 11.36€ 13.75€
15 - 19 11.08€ 13.41€
20 - 131 10.67€ 12.91€
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Transistor IGBT HGTG20N60A4. Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 20N60A4. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 70A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 73 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 7V. Disipación máxima Ptot [W]: 290W. Corriente máxima del colector (A): 280A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 01:25.

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Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Función: SMPS Series IGBT. Corriente del colector: 75A. Ic (pulso): 240A. Marcado en la caja: G30N60A4. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 463W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 7V. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS
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