Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V - 2SB647-SMD
| Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.00€ | 1.21€ |
| 5 - 9 | 0.95€ | 1.15€ |
| 10 - 24 | 0.92€ | 1.11€ |
| 25 - 49 | 0.90€ | 1.09€ |
| 50 - 99 | 0.88€ | 1.06€ |
| 100 - 134 | 0.75€ | 0.91€ |
| Cantidad | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.00€ | 1.21€ |
| 5 - 9 | 0.95€ | 1.15€ |
| 10 - 24 | 0.92€ | 1.11€ |
| 25 - 49 | 0.90€ | 1.09€ |
| 50 - 99 | 0.88€ | 1.06€ |
| 100 - 134 | 0.75€ | 0.91€ |
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Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V - 2SB647-SMD. Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 140 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 20:25.
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