Transistor NPN, 0.5A, 200V - 2SC1962
| Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.91€ | 2.31€ |
| 5 - 5 | 1.82€ | 2.20€ |
| Cantidad | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.91€ | 2.31€ |
| 5 - 5 | 1.82€ | 2.20€ |
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Transistor NPN, 0.5A, 200V - 2SC1962. Transistor NPN, 0.5A, 200V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Material semiconductor: silicio. FT: 45 MHz. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.
Productos equivalentes :
BF460
Transistor NPN, 0.5A, 250V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Mater...
Transistor NPN, 0.5A, 250V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Material semiconductor: silicio. FT: 45 MHz. Función: VID-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1
Transistor NPN, 0.5A, 250V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Material semiconductor: silicio. FT: 45 MHz. Función: VID-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1
MJE340
Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda: so...
Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOT-32. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-126. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE340. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Disipación máxima Ptot [W]: 20W. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 240. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Velocidad: 3V. Spec info: transistor complementario (par) MJE350
Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOT-32. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-126. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE340. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Disipación máxima Ptot [W]: 20W. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 240. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Velocidad: 3V. Spec info: transistor complementario (par) MJE350
MJE340-ST
Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-126F. Vivien...
Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Costo): 30pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 30. Nota: carcasa de plastico. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 3V. Spec info: transistor complementario (par) MJE350. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Costo): 30pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 30. Nota: carcasa de plastico. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 3V. Spec info: transistor complementario (par) MJE350. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BF461
Transistor NPN, 0.5A, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Mater...
Transistor NPN, 0.5A, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Material semiconductor: silicio. FT: 45 MHz. Función: VID-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1
Transistor NPN, 0.5A, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Material semiconductor: silicio. FT: 45 MHz. Función: VID-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1
Información y ayuda técnica.
Pago y entrega
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.