Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 12A, 600V - 2SC5048

Transistor NPN, 12A, 600V - 2SC5048
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Transistor NPN, 12A, 600V - 2SC5048. Transistor NPN, 12A, 600V. Corriente del colector: 12A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Vce(sat) 3V. Nota: Monitor HA (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: VEBO 5V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Producto original del fabricante Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 01/07/2025, 13:25.

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Transistor NPN, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: ISOWATT218FX. Vivienda (según ficha técnica): TO-218-FX. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: FAST-SWITCH. Ganancia máxima de hFE: 7. Ganancia mínima de hFE: 4.5. Ic (pulso): 18A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 58W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 2.6us. Tf(mín.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 9V
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Transistor NPN, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: ISOWATT218FX. Vivienda (según ficha técnica): TO-218-FX. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: FAST-SWITCH. Ganancia máxima de hFE: 7. Ganancia mínima de hFE: 4.5. Ic (pulso): 18A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 58W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 2.6us. Tf(mín.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 9V
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Transistor NPN, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PFM. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Salida de deflexión horizontal. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 24A. Marcado en la caja: C5449. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: Conmutación de alta velocidad. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 6V
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