Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V - 2SC5200

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V - 2SC5200
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1 - 1 7.13€ 8.63€
2 - 2 6.78€ 8.20€
3 - 4 6.56€ 7.94€
5 - 9 6.42€ 7.77€
10 - 19 6.28€ 7.60€
20 - 29 6.06€ 7.33€
30 - 206 5.85€ 7.08€
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V - 2SC5200. Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 200pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 80. Marcado en la caja: C5200 (Q). Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1943. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 15/05/2025, 11:25.

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MJL21194

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MJL21194
Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO–3PBL. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJL21193. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Velocidad: 5V
MJL21194
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FJL4315-O

FJL4315-O

Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Corriente del colector: 17A. Vivienda: TO-264 ...
FJL4315-O
Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Corriente del colector: 17A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: DE ALTA FIDELIDAD. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 80. Marcado en la caja: J4315O. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) FJL4215-O. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V
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2SC5242

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2SC5242
Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1A. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 200pF. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: HI-FI. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 5. Marcado en la caja: C5242. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1962. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V
2SC5242
Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1A. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 200pF. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: HI-FI. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 5. Marcado en la caja: C5242. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1962. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V
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