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Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V - BC304

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V - BC304
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25 - 49 0.87€ 1.05€
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Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V - BC304. Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.65 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.85W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.65V. Velocidad: 7V. Producto original del fabricante Tungsram. Cantidad en stock actualizada el 04/09/2025, 04:56.

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Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.65 MHz. Ganancia máxima de hFE: 120. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.85W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.65V. Velocidad: 7V
BC303
Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.65 MHz. Ganancia máxima de hFE: 120. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.85W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.65V. Velocidad: 7V
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