Transistor NPN BD139, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V. Voltaje colector-emisor VCEO: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 1.5A. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Acondicionamiento: tubus. Cantidad por caja: 1. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 1.5A. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Disipación máxima Ptot [W]: 12.5W. FT: 50 MHz. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Frecuencia de corte pies [MHz]: -. Frecuencia máxima: 50MHz. Frecuencia: 50MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 63. Ic (pulso): 3A. Marcado del fabricante: BD139. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. Polaridad: bipolar. Potencia: 12W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD140. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): -. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Tipo de transistor: NPN. Unidad de acondicionamiento: 50. Vcbo: 80V. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Voltaje (coleccionista - emisor): 80V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 04:24