Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, TO-220, TO-220AB, 100V, 6A - BD243CG

Transistor NPN, TO-220, TO-220AB, 100V, 6A - BD243CG
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1 - 4 1.76€ 2.13€
5 - 9 1.67€ 2.02€
10 - 24 1.62€ 1.96€
25 - 49 1.59€ 1.92€
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Transistor NPN, TO-220, TO-220AB, 100V, 6A - BD243CG. Transistor NPN, TO-220, TO-220AB, 100V, 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Corriente del colector: 6A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ic (pulso): 10A. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 12/08/2025, 14:08.

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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (...
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP42C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP42C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V
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