Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V - BD680A

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V - BD680A
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Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V - BD680A. Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10MHz. Función: Potencia Lineal y Conmutación. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 14W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD679A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.8V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 09/06/2025, 01:25.

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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C(pulg): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: hFE 750. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) BD679. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
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