Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V - BD830

Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V - BD830
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Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V - BD830. Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-202. Vivienda (según ficha técnica): TO-202; SOT128B. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Material semiconductor: silicio. FT: 75 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 8W. Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BD829. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 06:25.

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Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD140. Disipación máxima Ptot [W]: 12.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Frecuencia de corte pies [MHz]: 250. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD139
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