Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 8A, 700V - BU2508AX

Transistor NPN, 8A, 700V - BU2508AX
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Transistor NPN, 8A, 700V - BU2508AX. Transistor NPN, 8A, 700V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 16:25.

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Transistor NPN, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 1pF. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor de alto voltaje para CRT de definición estándar. Ganancia máxima de hFE: 8.5. Ganancia mínima de hFE: 5.5. Ic (pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 57W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 9V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 1pF. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor de alto voltaje para CRT de definición estándar. Ganancia máxima de hFE: 8.5. Ganancia mínima de hFE: 5.5. Ic (pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 57W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 9V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 500pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Deflexión horizontal de la pantalla en color de alto voltaje . Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 6V. Spec info: 0.1...0.3us
KSD5703
Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 500pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Deflexión horizontal de la pantalla en color de alto voltaje . Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 6V. Spec info: 0.1...0.3us
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 750V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 10. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 20A. Marcado en la caja: J6810A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 6V. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación de alta velocidad. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 750V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 10. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 20A. Marcado en la caja: J6810A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 6V. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación de alta velocidad. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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