Transistor NPN BUL45GD2G, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO220AB CASE 221A-09. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Costo): 50pF. Diodo BE: no. Diodo CE: sí. FT: 13 MHz. Función: Transistor de potencia NPN bipolar de alta velocidad y alta ganancia. Ganancia máxima de hFE: 34. Ganancia mínima de hFE: 22. Ic (pulso): 10A. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Tensión de saturación VCE(sat): 0.28V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.4V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Velocidad: 12V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 08:57