Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V - MD2001FX. Transistor NPN, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: ISOWATT218FX. Vivienda (según ficha técnica): TO-218-FX. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Costo): 4pF. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: FAST-SWITCH. Ganancia máxima de hFE: 7. Ganancia mínima de hFE: 4.5. Ic (pulso): 18A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 58W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 2.6us. Tf(mín.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 9V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 10:25.

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Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 14A. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 1.6pF. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Material semiconductor: silicio. FT: 64kHz. Función: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Fecha de producción: 2014/17. Ganancia máxima de hFE: 8.5. Ganancia mínima de hFE: 6. Ic (pulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 62W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(mín.): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 9V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PFM. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Salida de deflexión horizontal. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 24A. Marcado en la caja: C5449. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 6V
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