Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.67€ | 0.81€ |
5 - 9 | 0.64€ | 0.77€ |
10 - 24 | 0.60€ | 0.73€ |
25 - 49 | 0.57€ | 0.69€ |
50 - 99 | 0.56€ | 0.68€ |
100 - 249 | 0.47€ | 0.57€ |
250 - 498 | 0.45€ | 0.54€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.67€ | 0.81€ |
5 - 9 | 0.64€ | 0.77€ |
10 - 24 | 0.60€ | 0.73€ |
25 - 49 | 0.57€ | 0.69€ |
50 - 99 | 0.56€ | 0.68€ |
100 - 249 | 0.47€ | 0.57€ |
250 - 498 | 0.45€ | 0.54€ |
Transistor NPN, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE210G. Transistor NPN, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 120pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 65MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 8V. Spec info: transistor complementario (par) MJE200. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 13:25.
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