Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.67€ | 0.81€ |
5 - 9 | 0.64€ | 0.77€ |
10 - 24 | 0.62€ | 0.75€ |
25 - 49 | 0.60€ | 0.73€ |
50 - 99 | 0.59€ | 0.71€ |
100 - 249 | 0.50€ | 0.61€ |
250 - 496 | 0.48€ | 0.58€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.67€ | 0.81€ |
5 - 9 | 0.64€ | 0.77€ |
10 - 24 | 0.62€ | 0.75€ |
25 - 49 | 0.60€ | 0.73€ |
50 - 99 | 0.59€ | 0.71€ |
100 - 249 | 0.50€ | 0.61€ |
250 - 496 | 0.48€ | 0.58€ |
Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V - MJE210G. Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 65MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Spec info: transistor complementario (par) MJE200. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 8V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 15:25.
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