Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-32, 500mA - MJE340

Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-32, 500mA - MJE340
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1 - 4 1.43€ 1.73€
5 - 9 1.36€ 1.65€
10 - 24 1.31€ 1.59€
25 - 49 1.29€ 1.56€
50 - 99 1.04€ 1.26€
100 - 249 1.01€ 1.22€
250 - 465 0.97€ 1.17€
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Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-32, 500mA - MJE340. Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-32, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOT-32. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Vivienda (norma JEDEC): TO-126. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE340. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Disipación máxima Ptot [W]: 20W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Producto original del fabricante Stmicroelectronic. Cantidad en stock actualizada el 12/08/2025, 14:08.

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MJE350-ONS

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Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda:...
MJE350-ONS
Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 7pF. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 30. Equivalentes: KSE350. Pd (disipación de potencia, máx.): 20.8W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE340. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Velocidad: 3V
MJE350-ONS
Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 7pF. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 30. Equivalentes: KSE350. Pd (disipación de potencia, máx.): 20.8W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE340. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Velocidad: 3V
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SN65HVD3082ED

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