Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V - MJL3281A

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V - MJL3281A
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1 - 1 10.92€ 13.21€
2 - 2 10.37€ 12.55€
3 - 4 10.15€ 12.28€
5 - 9 9.83€ 11.89€
10 - 13 9.61€ 11.63€
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V - MJL3281A. Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 260V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: Transistor de potencia bipolar complementario. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 45. Ic (pulso): 25A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJL1302A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 01/07/2025, 01:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 200pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 80. Marcado en la caja: C5200 (Q). Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1943. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 200pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 80. Marcado en la caja: C5200 (Q). Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1943. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: NF-E HI-FI. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1302. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN
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