Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V - PMBT4403

Transistor NPN, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V - PMBT4403
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2 - 2 0.99€ 1.20€
3 - 4 0.93€ 1.13€
5 - 9 0.88€ 1.06€
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Transistor NPN, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V - PMBT4403. Transistor NPN, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corriente del colector: 600mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Costo): 29pF. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 800mA. Marcado en la caja: *T2, P2T, T2T, W2T. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf(máx.): 350 ns. Tf(mín.): 40 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Spec info: Serigrafía/código SMD P2T, T2T, W2T, transistor complementario (par) PMBT4401. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 18:25.

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Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 30. Marcado en la caja: 2T. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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