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Yangjie Electronic Technology

Yangjie Electronic Technology YJD2120240NCTGH SiC MOSFET de Canal N 1200V 13.5A 0.240 Ohm TO-247

Referencia del producto : YJD2120240NCTGH
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Descargue la ficha técnica (PDF).

Descripción técnica del producto (YJD2120240NCTGH):

El YJD2120240NCTGH es un MOSFET de canal N de SiC de alto rendimiento de Yangjie Electronic Technology (YET). Presenta una tensión de 1200V, una corriente de 13.5A y una resistencia en estado activo de 0.240 Ohm. Este componente es adecuado para gestión de energía, convertidores DC-DC y aplicaciones de control de motor. Está encapsulado en un encapsulado TO-247.