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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V - 2SD313

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V - 2SD313
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V - 2SD313. Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 65pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 8 MHz. Ic (pulso): 8A. Marcado en la caja: D313Y. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante Sanyo. Cantidad en stock actualizada el 17/06/2025, 04:25.

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Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V, 100V, 3A. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Corriente del colector: 3A. RoHS: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) BD242C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 40W. Frecuencia máxima: 3MHz
BD241C
Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V, 100V, 3A. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Corriente del colector: 3A. RoHS: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) BD242C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 40W. Frecuencia máxima: 3MHz
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 24. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 5A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP32C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 24. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 5A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP32C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V
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