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Anach

Anach AF4502C Par de MOSFET Complementarios Canal N-P, SO-8, 2.1W

Referencia del producto : AF4502C
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Descripción técnica del producto (AF4502C):

RoHS: Sí. Encapsulado: SO. Número de conexiones: 8. Montaje/instalación: Componente de montaje superficial (CMS). Tipo de canal: N-P. Encapsulado (según hoja de datos): SO-8. Función: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2). Tecnología: Par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Cantidad por encapsulado: 2. Marcado en el encapsulado: 4502C. Disipación de potencia máxima: 2.1W.