Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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BY500-600

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10 - 24 0.27€ 0.33€
25 - 49 0.26€ 0.31€
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BY500-600. VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Producto original del fabricante Diotec Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 26/07/2025, 16:25.

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BY500-1000

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BY500-1000
Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V
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BY500-800
Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Número de terminales: 2. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V
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Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Número de terminales: 2. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V
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Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nota: IFSM--200Ap/8.3mS. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB
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Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nota: IFSM--200Ap/8.3mS. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB
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