Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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BYD33M

BYD33M
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5 - 9 0.62€ 0.75€
10 - 24 0.60€ 0.73€
25 - 35 0.59€ 0.71€
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BYD33M. Corriente directa (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Vivienda: SOD-81. Vivienda (según ficha técnica): SOD-81. VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Producto original del fabricante Philips Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 02:25.

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Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15. VRRM: 1000V. Cj: 25pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V
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