Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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BYD33M

BYD33M
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BYD33M. Corriente directa (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Vivienda: SOD-81. Vivienda (según ficha técnica): SOD-81. VRRM: 1000V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 08:25.

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