Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 110A. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). VRRM: 300V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: ULTRA FAST DUAL DIODE. Resonancia magnética (máx.): 300uA. Resonancia magnética (mín.): 30uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.85V

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 110A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 300V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: ULTRA FAST DUAL DIODE. Resonancia magnética (máx.): 300uA. Resonancia magnética (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.85V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 40A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: AXIAL TURBO 2 DIODE. Fecha de producción: 201506. Resonancia magnética (máx.): 12uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--40App, t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Vivienda: DO-247. Vivienda (según ficha técnica): DO-247. Nota: Aislamiento de 2500V. Nota: diodo de alto voltaje, recuperación ultrarrápida. Nota: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263. VRRM: 300V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo ultrarrápido de alta eficiencia. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.9V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alto voltaje ultrarrápido. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.9V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 300A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alto voltaje ultrarrápido. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: IFSM--300Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.85V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Vivienda: TO-247. VRRM: 200V. Corriente rectificada promedio por diodo: 30A. Tipo de diodo: diodo rectificador. Voltaje directo (máx.): <1.05V / 30A. Tipo de montaje: THT. Corriente de fuga inversa: 30uA / 200V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 27ns. Serie: STTH60

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos rectificadores ultrarrápidos (mínimo 17 ns, máximo 30 ns). Marcado en la caja: STTH802. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.8V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 27A. Vivienda: DO-213. Vivienda (según ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 5000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast silicon rectifier diode. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--27Ap. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 27A. Vivienda: DO-213. Vivienda (según ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 400V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 5000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast silicon rectifier diode. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--27Ap. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1.25V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 27A. Vivienda: DO-213. Vivienda (según ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 5000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast silicon rectifier diode. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--27Ap. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V

VRRM: 30V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.2A. Tipo de diodo: choco. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <1V / 0.2A. Tipo de montaje: SMD. Corriente de fuga inversa: 500nA / 25V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 5ns. Serie: BAT

VRRM: 40V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.35A. Tipo de diodo: choco. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <0.75V / 0.2A. Tipo de montaje: SMD. Corriente de fuga inversa: 25uA / 40V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 10ns. Serie: BAT

VRRM: 100V. Corriente directa (AV): 0.15A. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80. Material semiconductor: Sb. Nota: IFSM 0.75App/10ms. Número de terminales: 2. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Vivienda: SMD 0603. VRRM: 75V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.1A. Tipo de diodo: Switching. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <1.0V / 0.01A. Tipo de montaje: SMD. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 4ns. Serie: TS4148

Vivienda: SMD 1206. VRRM: 75V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.15A. Tipo de diodo: Switching. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <1.0V / 0.1A. Tipo de montaje: SMD. Corriente de fuga inversa: 25nA / 20V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 4ns. Serie: TS4148

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: 063. Corriente directa [A]: 0.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo de pequeña señal Montaje en superficie (SMD). Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Ifsm [A]: 2A. Tensión directa Vfmax (V): 1V @ 100mA. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 75V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 4 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: SMD 0805. Corriente directa (AV): 150mA. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. RoHS: sí. Cj: 4pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de alta velocidad. Otro nombre: IN4148. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. Número de terminales: 2. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-123. Vivienda (según ficha técnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky con baja tensión directa, Montaje en superficie (SMD). Resonancia magnética (máx.): 1mA. Marcado en la caja: W3U45. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.47V. Tensión directa Vf (mín.): 0.33V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-123. Vivienda (según ficha técnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky con baja tensión directa, Montaje en superficie (SMD). Resonancia magnética (máx.): 1mA. Marcado en la caja: W3U60. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.58V. Tensión directa Vf (mín.): 0.39V

Corriente directa (AV): 0.6A. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 800V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI-S. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI-S. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI-S. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB