Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 2A. Corriente directa (RMS): 10A. IFSM: 50A / 10mS. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 100V. Material semiconductor: Sb. Función: Energía de alto voltaje Schottky . Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 0.92V. Tensión directa Vf (mín.): 0.65V. Número de terminales: 2

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 75A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 40V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky de potencia, caída de voltaje baja. Resonancia magnética (máx.): 80mA. Resonancia magnética (mín.): 220uA. Marcado en la caja: GD4. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 0.39V. Tensión directa Vf (mín.): 0.25V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Nota: serigrafía/código SMD GD4. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms)

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 220A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky doble. Resonancia magnética (máx.): 11mA. Resonancia magnética (mín.): 200uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.84V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Spec info: IFSM--220Ap, t=10ms

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 250A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificador Schottky de potencia de alto voltaje. Resonancia magnética (máx.): 6mA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.74V. Número de terminales: 3. Nota: Diodo rectificador Schottky. Tensión directa Vf (mín.): 0.64V. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 75A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252A ( Dpak ). VRRM: 100V. Material semiconductor: Sb. Función: Energía de alto voltaje Schottky . Resonancia magnética (máx.): 4.5mA. Resonancia magnética (mín.): 3.5uA. Marcado en la caja: S5H100. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.57V. Spec info: 75App/10ms

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 150A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 40V. Material semiconductor: Sb. Función: Rectificador Schottky de potencia. Resonancia magnética (máx.): 0.75mA. Resonancia magnética (mín.): 0.2mA. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 0.5V. Tensión directa Vf (mín.): 0.38V. Número de terminales: 2. Spec info: 150App / 10ms

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 270A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 170V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificador Schottky de potencia de alto voltaje. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.97V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Nota: IF(AV) 30A/diode, 60A/total. Nota: Diodo rectificador Schottky. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: IFSM--270App, t=10mS

Corriente directa (AV): 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 100V. Material semiconductor: Sb. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: Energía de alto voltaje Schottky . Nota: 250App/10ms

Corriente directa (AV): 12A. IFSM: 110A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 28 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alto voltaje ultrarrápido. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.75V. Tensión directa Vf (mín.): 1.25V. Spec info: Ifsm 110App/10ms

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 55A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT TO-220AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra-fast diode. Resonancia magnética (máx.): 0.75mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.75V. Tensión directa Vf (mín.): 1.25V. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms)

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 45A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 0.3mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 2.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.35V. Spec info: IFSM--45Ap. Función: Diodo ultrarrápido, alto voltaje

Corriente directa (AV): 12A. IFSM: 80A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 48 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast recovery - high voltage diode. Marcado en la caja: STTH1210D. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Spec info: IFSM--80Ap T=10ms

Corriente directa (AV): 2x100A. IFSM: 100A. Vivienda: ISOTOP ( SOT227B ). Vivienda (según ficha técnica): ISOTOP. VRRM: 300V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 10. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 55 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 2mA. Resonancia magnética (mín.): 200uA. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Montaje/instalación: tornillo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 0.8V. Spec info: IFSM--diode/100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Función: Diodo rectificador de alto voltaje ultrarrápido dual

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 110A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 300V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: ULTRA FAST DUAL DIODE. Resonancia magnética (máx.): 300uA. Resonancia magnética (mín.): 30uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.85V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 110A. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). VRRM: 300V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: ULTRA FAST DUAL DIODE. Resonancia magnética (máx.): 300uA. Resonancia magnética (mín.): 30uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.85V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 110A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 300V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: ULTRA FAST DUAL DIODE. Resonancia magnética (máx.): 300uA. Resonancia magnética (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.85V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 40A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: AXIAL TURBO 2 DIODE. Fecha de producción: 201506. Resonancia magnética (máx.): 12uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: IFSM--40App, t=10mS

Vivienda: DO-247. Vivienda (según ficha técnica): DO-247. Nota: Aislamiento de 2500V. Nota: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms. Nota: diodo de alto voltaje, recuperación ultrarrápida

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263. VRRM: 300V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo ultrarrápido de alta eficiencia. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.9V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alto voltaje ultrarrápido. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.9V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 300A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alto voltaje ultrarrápido. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.85V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: IFSM--300Ap

Vivienda: TO-247. Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 330A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. VRRM: 200V. RoHS: sí. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 22 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo ultrarrápido de alta eficiencia. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: +175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Marcado en la caja: STTH802. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.8V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Función: Diodos rectificadores ultrarrápidos (mínimo 17 ns, máximo 30 ns). Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: Ifsm 100Ap

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 27A. Vivienda: DO-213. Vivienda (según ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Acondicionamiento: rollo. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 27A. Vivienda: DO-213. Vivienda (según ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 400V. Acondicionamiento: rollo. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1.25V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap