Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: SOD-123. Vivienda (según ficha técnica): 425AB SMA (3.8x1.9mm). VRRM: 40V. Cj: 152pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 12 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, montaje en superficie. Nota: serigrafía/código SMD 34L. Resonancia magnética (máx.): 60mA. Resonancia magnética (mín.): 500uA. Marcado en la caja: 34L. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, montaje en superficie. Resonancia magnética (máx.): 10mA. Resonancia magnética (mín.): 500uA. Marcado en la caja: SS36. Equivalentes: SS36-E3/9AT. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.75V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V

Corriente directa (AV): 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. VRRM: 200V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--50A10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. VRRM: 200V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--80A10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador Schottky, montaje SMD. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOD-123. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 0.5A. Ifsm [A]: 5.5A. Tensión directa Vfmax (V): 0.5V @ 0.5A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 50uA..4mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SMA. Vivienda (norma JEDEC): DO-214AC. Corriente directa [A]: 1A. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador Schottky, montaje SMD. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Ifsm [A]: 75A. Tensión directa Vfmax (V): 0.26V @ 1A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 6mA...15mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente directa (AV): 10A/diode. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Doble: Doble. Nota: diodo de silicio dual. Nota: Diodo rectificador Schottky. Número de terminales: 3. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: total 20A, IFSM 180App (t=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 0.65V. Tensión directa Vf (mín.): 0.72V

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 250A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. VRRM: 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Función: Rectificador Schottky de potencia de alto voltaje. Nota: IFSM--250Ap. Resonancia magnética (máx.): 2mA. Resonancia magnética (mín.): 4.5uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: voltaje de aislamiento 2000VDC, capacitancia 45pF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.67V. Tensión directa Vf (mín.): 0.56V

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 250A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificador Schottky de potencia de alto voltaje. Nota: Diodo rectificador Schottky. Resonancia magnética (máx.): 6mA. Resonancia magnética (mín.): 4.5uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.67V. Tensión directa Vf (mín.): 0.56V

Corriente directa (AV): 2A. Corriente directa (RMS): 10A. IFSM: 50A / 10mS. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 100V. Material semiconductor: Sb. Función: Energía de alto voltaje Schottky . Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 0.92V. Tensión directa Vf (mín.): 0.65V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 75A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 40V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky de potencia, caída de voltaje baja. Nota: serigrafía/código SMD GD4. Resonancia magnética (máx.): 80mA. Resonancia magnética (mín.): 220uA. Marcado en la caja: GD4. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 0.39V. Tensión directa Vf (mín.): 0.25V

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 220A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky doble. Resonancia magnética (máx.): 11mA. Resonancia magnética (mín.): 200uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: IFSM--220Ap, t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.84V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 250A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificador Schottky de potencia de alto voltaje. Nota: Diodo rectificador Schottky. Resonancia magnética (máx.): 6mA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.74V. Tensión directa Vf (mín.): 0.64V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 75A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252A ( Dpak ). VRRM: 100V. Material semiconductor: Sb. Función: Energía de alto voltaje Schottky . Resonancia magnética (máx.): 4.5mA. Resonancia magnética (mín.): 3.5uA. Marcado en la caja: S5H100. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: 75App/10ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.57V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 150A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 40V. Material semiconductor: Sb. Función: Rectificador Schottky de potencia. Resonancia magnética (máx.): 0.75mA. Resonancia magnética (mín.): 0.2mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: 150App / 10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 0.5V. Tensión directa Vf (mín.): 0.38V

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 270A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 170V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificador Schottky de potencia de alto voltaje. Nota: IF(AV) 30A/diode, 60A/total. Nota: Diodo rectificador Schottky. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: IFSM--270App, t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.97V

Corriente directa (AV): 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 100V. Material semiconductor: Sb. Nota: Energía de alto voltaje Schottky . Nota: 250App/10ms. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 12A. IFSM: 110A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 28 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alto voltaje ultrarrápido. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 110App/10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.75V. Tensión directa Vf (mín.): 1.25V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 55A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT TO-220AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra-fast diode. Resonancia magnética (máx.): 0.75mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.75V. Tensión directa Vf (mín.): 1.25V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 45A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo ultrarrápido, alto voltaje. Resonancia magnética (máx.): 0.3mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Spec info: IFSM--45Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 2.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.35V

Corriente directa (AV): 12A. IFSM: 80A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 48 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast recovery - high voltage diode. Marcado en la caja: STTH1210D. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. Spec info: IFSM--80Ap T=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 2x100A. IFSM: 100A. Vivienda: ISOTOP ( SOT227B ). Vivienda (según ficha técnica): ISOTOP. VRRM: 300V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 10. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 55 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de alto voltaje ultrarrápido dual. Resonancia magnética (máx.): 2mA. Resonancia magnética (mín.): 200uA. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Spec info: IFSM--diode/100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montaje/instalación: tornillo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 0.8V

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 110A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 300V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: ULTRA FAST DUAL DIODE. Resonancia magnética (máx.): 300uA. Resonancia magnética (mín.): 30uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.85V

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 110A. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). VRRM: 300V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: ULTRA FAST DUAL DIODE. Resonancia magnética (máx.): 300uA. Resonancia magnética (mín.): 30uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.85V

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 110A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 300V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: ULTRA FAST DUAL DIODE. Resonancia magnética (máx.): 300uA. Resonancia magnética (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.85V