Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 30 v. Material semiconductor: Sb. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: 50App/8.3ms. Nota: Vf 0.55V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 110pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 1mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.55V. Tensión directa Vf (mín.): 0.55V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifsm--50Ap (t=8.3ms)

Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 50V. Material semiconductor: Sb. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: 50App/8.3ms. Nota: Vf 0.70V

Corriente directa (AV): 2A. Corriente directa (RMS): 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 60V. Cj: 170pF. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 10mA. Resonancia magnética (mín.): 1mA. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.70V. Número de terminales: 2. Spec info: 50App / 8.3ms

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 40V. Cj: 200pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Resonancia magnética (máx.): 10mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.55V. Tensión directa Vf (mín.): 0.55V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 60V. Cj: 130pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.7V. Tensión directa Vf (mín.): 0.7V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 100V. Cj: 72pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Resonancia magnética (máx.): 2mA. Resonancia magnética (mín.): 0.1mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.85V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 150V. Cj: 72pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): ns. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Resonancia magnética (máx.): 2mA. Resonancia magnética (mín.): 0.1mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65°C...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.95V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Corriente directa (AV): 5A. Corriente directa (RMS): 150Ap / 8.3ms. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 60V. Cj: 380pF. Material semiconductor: Sb. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.7V. Número de terminales: 2. Nota: RMS Rew--42V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 150A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD DO-27 ( 5.2x9mm ). VRRM: 100V. Cj: 400pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: SR5100. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.85V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifsm 150Ap

Corriente directa (AV): 5A. Corriente directa (RMS): 120Ap / 8.3ms. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 20V. Cj: 250pF. Material semiconductor: Sb. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.55V. Número de terminales: 2

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 150A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 175pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: SR5200. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifsm 150Ap

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ). VRRM: 40V. Cj: 100pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): SMA. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 1mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.6V. Tensión directa Vf (mín.): 0.55V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm. VRRM: 40V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 500uA. Marcado en la caja: SS34. Equivalentes: SS34B. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.5V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V. Número de terminales: 2. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, montaje en superficie. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 500uA. Marcado en la caja: SS34. Equivalentes: SS34-E3/9AT. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.5V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V. Número de terminales: 2. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, montaje en superficie. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: SOD-123. VRRM: 40V. Vivienda (según ficha técnica): 425AB SMA (3.8x1.9mm). Cj: 152pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 12 ns. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 60mA. Resonancia magnética (mín.): 500uA. Marcado en la caja: 34L. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V. Número de terminales: 2. Nota: serigrafía/código SMD 34L. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, montaje en superficie. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 10mA. Resonancia magnética (mín.): 500uA. Marcado en la caja: SS36. Equivalentes: SS36-E3/9AT. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.75V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V. Número de terminales: 2. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, montaje en superficie. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 200uA. Marcado en la caja: SS54. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.6V. Tensión directa Vf (mín.): 0.6V. Número de terminales: 2. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, montaje en superficie. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Corriente directa (AV): 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. VRRM: 200V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--50A10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. VRRM: 200V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--80A10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador Schottky, montaje SMD. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOD-123. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 0.5A. Ifsm [A]: 5.5A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 50uA..4mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Tensión directa Vfmax (V): 0.5V @ 0.5A

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SMA. Vivienda (norma JEDEC): DO-214AC. Corriente directa [A]: 1A. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador Schottky, montaje SMD. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Ifsm [A]: 75A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Tensión directa Vfmax (V): 0.26V @ 1A. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 6mA...15mA

Corriente directa (AV): 10A/diode. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Doble: Doble. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 0.65V. Tensión directa Vf (mín.): 0.72V. Número de terminales: 3. Nota: Diodo rectificador Schottky. Unidad de acondicionamiento: 50. Nota: diodo de silicio dual. Spec info: total 20A, IFSM 180App (t=10ms)

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 250A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. VRRM: 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Función: Rectificador Schottky de potencia de alto voltaje. Resonancia magnética (máx.): 2mA. Resonancia magnética (mín.): 4.5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.67V. Tensión directa Vf (mín.): 0.56V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Nota: IFSM--250Ap. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: voltaje de aislamiento 2000VDC, capacitancia 45pF

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 250A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificador Schottky de potencia de alto voltaje. Resonancia magnética (máx.): 6mA. Resonancia magnética (mín.): 4.5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.67V. Tensión directa Vf (mín.): 0.56V. Número de terminales: 3. Nota: Diodo rectificador Schottky. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS