Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 60A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador ultrarrápido. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 3V. Tensión directa Vf (mín.): 3V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador ultrarrápido. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V

Corriente directa (AV): 0.5A. IFSM: 20A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 2000V. Cj: 5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de conmutación rápida. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.8V. Tensión directa Vf (mín.): 1.8V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de conmutación rápida. Nota: GI, S. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de conmutación rápida. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de conmutación rápida. Nota: GI, S. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AC. VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: Conmutación de alta velocidad. Nota: 50App/8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AC. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: Conmutación de alta velocidad. Nota: 50App/8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AC. VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Nota: Conmutación de alta velocidad. Nota: 50App/8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 2A. VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI, S. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Paso: 9.5x5.3mm

Corriente directa (AV): 2A. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI, S. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Paso: 9.5x5.3mm

Corriente directa (AV): 3A. VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: 125A/PP. Nota: GI, S

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI, S. Nota: 125App/8.3ms. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 60A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). VRRM: 1500V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4us. Material semiconductor: silicio. Función: apagador . Nota: Samsung--32169-301-670. Nota: Samsung--CK6813Z/SEH. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1500V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4us. Material semiconductor: silicio. Función: apagador . Nota: Samsung--0402-000266. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 200A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 65 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Hyperfast Diode. Nota: Diodo hiperrápido. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--200Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 3.2V. Tensión directa Vf (mín.): 2.6V

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 300A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 65 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Hyperfast with Soft Recovery. Marcado en la caja: RHR30120. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 3.2V. Tensión directa Vf (mín.): 2.6V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cj: 25pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 55 ns. Material semiconductor: silicio. Nota: Diodo hiperrápido. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 3.2V. Tensión directa Vf (mín.): 2.6V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 70A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon Rectifier. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--70Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Nota: Diodo rectificador de recuperación ultrarrápida. Paso: 8x6.5mm. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.95V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 50V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador rápido, Montaje en superficie. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 100V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador rápido, Montaje en superficie. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador rápido, Montaje en superficie. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 400V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador rápido, Montaje en superficie. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador rápido, Montaje en superficie. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V