Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de potencia, Para conmutar fuentes de alimentación. Nota: diodo rectificador ultrarrápido. Marcado en la caja: U820. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.975V. Tensión directa Vf (mín.): 0.895V

VRRM: 600V. Vivienda: TO-220AC. Corriente rectificada promedio por diodo: 8A. Tipo de diodo: diodo rectificador. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <1.5V / 8A. Tipo de montaje: THT. Corriente de fuga inversa: <500uA / 600V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 60ns. Serie: MUR860

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de potencia, Para conmutar fuentes de alimentación. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: U860. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: diodo rectificador ultrarrápido. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 800V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75us. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de potencia, Para conmutar fuentes de alimentación. Nota: diodo rectificador ultrarrápido. Marcado en la caja: U880E. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.8V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 40A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. RoHS: sí. Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafía/código CMS U1D. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Marcado en la caja: U1D. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.875V. Tensión directa Vf (mín.): 0.71V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 35A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafía/código CMS U1J. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Marcado en la caja: U1J. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 75A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafía/código CMS U3D. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.875V. Tensión directa Vf (mín.): 0.71V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 75A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafía/código CMS U3J. Resonancia magnética (máx.): 250uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Equivalentes: MURS360T3G, MUR360S R6. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafía/código CMS U3J. Resonancia magnética (máx.): 250uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Equivalentes: MURS360T3G, MUR360S, R6. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 0.88V

Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 400A. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V. Cj: 70pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: P1000M. Número de terminales: 2. RoHS: sí

VRRM: 1000V. Corriente rectificada promedio por diodo: 20A. Tipo de diodo: diodo rectificador. Configuración de diodo: independiente. Tipo de montaje: THT. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 1500ns

VRRM: 1600V. Corriente rectificada promedio por diodo: 25A. Tipo de diodo: diodo rectificador. Configuración de diodo: independiente. Tipo de montaje: THT. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 1500ns

Vivienda: P600. VRRM: 200V. Corriente rectificada promedio por diodo: 6A. Tipo de diodo: diodo rectificador. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <1.0V / 5A. Tipo de montaje: THT. Corriente de fuga inversa: 25uA / 200V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 1500ns. Serie: P600

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 2500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 6A08. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V

VRRM: 1000V. Vivienda: P600. Corriente rectificada promedio por diodo: 6A. Tipo de diodo: diodo rectificador. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <1.0V / 5A. Tipo de montaje: THT. Corriente de fuga inversa: 25uA / 1000V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 1500ns. Serie: P600

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 6A12. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 10A. Vivienda: SOD-323. Vivienda (según ficha técnica): SOD-323F. VRRM: 60V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador Schottky (serie Mega). Marcado en la caja: EQ. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.66V. Tensión directa Vf (mín.): 0.21V

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V

IFSM: 30A. Vivienda (según ficha técnica): A-405 (5.2x2.7mm). VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Nota: DAEWOO TV

Nota: SONY TV

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FN. VRRM: 350V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación rápida, diodo de recuperación rápida.. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Spec info: IFMS 100Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 530V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 23 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Soft Recovery Diode. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Silicon epitaxial planer. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.65V

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Nota: SAMSUNG. Resonancia magnética (máx.): 2.5mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFMS 50Ap. Peso: 0.6g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 100us. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador ultrarrápido. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 2V. Tensión directa Vf (mín.): 2V