Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 35A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Unidad de acondicionamiento: 1000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Equivalentes: MUR1100ERLG. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.75V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 35A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador para fuente de alimentación conmutada. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Spec info: IFSM--35App. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 110A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de recuperación ultrarrápida. Nota: diodo ultrarrápido. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 110Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.4V. Tensión directa Vf (mín.): 1.9V

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 35A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador para fuente de alimentación conmutada. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--35App. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast SMPS. Resonancia magnética (máx.): 250uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.975V. Tensión directa Vf (mín.): 0.895V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: ánodo común. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast SMPS. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast SMPS. Nota: cátodo común. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V

Corriente directa (AV): 4A. IFSM: 70A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marcado en la caja: MUR4100E. Equivalentes: MUR4100ERLG. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.85V. Tensión directa Vf (mín.): 1.53V

Corriente directa (AV): 4A. IFSM: 125A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marcado en la caja: MUR420. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 0.89V. Tensión directa Vf (mín.): 0.71V

Corriente directa (AV): 4A. IFSM: 70A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Marcado en la caja: MUR460. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.28V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V

Corriente directa (AV): 4A. IFSM: 70A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. VRRM: 800V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 900uA. Resonancia magnética (mín.): 25uA. Marcado en la caja: MUR480E. Equivalentes: MUR480ERLG. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.85V. Tensión directa Vf (mín.): 1.53V

Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 550A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Función: SWITCHMODE Power Rectifiers. Nota: Diodo de recuperación ultrarrápida. Marcado en la caja: MUR 6060. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.8V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75us. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de potencia, Para conmutar fuentes de alimentación. Nota: diodo rectificador ultrarrápido. Marcado en la caja: U8100E. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.8V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de potencia, Para conmutar fuentes de alimentación. Nota: diodo rectificador ultrarrápido. Marcado en la caja: U820. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.975V. Tensión directa Vf (mín.): 0.895V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador para fuente de alimentación conmutada. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: MUR860. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: diodo rectificador ultrarrápido. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de potencia, Para conmutar fuentes de alimentación. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: U860. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: diodo rectificador ultrarrápido. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 800V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75us. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de potencia, Para conmutar fuentes de alimentación. Nota: diodo rectificador ultrarrápido. Marcado en la caja: U880E. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.8V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 40A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. RoHS: sí. Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafía/código CMS U1D. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Marcado en la caja: U1D. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.875V. Tensión directa Vf (mín.): 0.71V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 35A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafía/código CMS U1J. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Marcado en la caja: U1J. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 75A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafía/código CMS U3D. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.875V. Tensión directa Vf (mín.): 0.71V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 75A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafía/código CMS U3J. Resonancia magnética (máx.): 250uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Equivalentes: MURS360T3G, MUR360S R6. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafía/código CMS U3J. Resonancia magnética (máx.): 250uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Equivalentes: MURS360T3G, MUR360S, R6. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 0.88V

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: P1000M. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 500A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 110pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: P2000M. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.87V