Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 25pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alta eficiencia. Equivalentes: HER105G. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Número de terminales: 2

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alta eficiencia. Equivalentes: HER108G. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V. Número de terminales: 2

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: pico de 150A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 (5.6 x 9.5mm). VRRM: 200V. Cj: 70pF. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -60...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Número de terminales: 2. Nota: diodo rectificador de alta eficiencia. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 125A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Cj: 80pF. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Peso: 1.1g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Número de terminales: 2. Nota: diodo rectificador de alta eficiencia. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 150A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Cj: 70pF. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Número de terminales: 2. Nota: diodo rectificador de alta eficiencia. Cantidad por caja: 1. Peso: 0.4g. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 125A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Peso: 1.1g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Número de terminales: 2. Nota: diodo rectificador de alta eficiencia. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 150A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tr: 75 ns. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Spec info: 150Ap/8.3ms

Corriente directa (AV): 8A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 14W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: Ultrafast. Nota: Ifsm--60Aps

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 60A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 18 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Soft Recovery Diode. Marcado en la caja: HFA08TB60. Equivalentes: 39.2k Ohms. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.4V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: IFRM 24A

Corriente directa (AV): 8A. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: Ultrafast. Nota: Ifsm 60Aps

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 50A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Soft Recovery Diode. Resonancia magnética (máx.): 400uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Marcado en la caja: HFA15TB60. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A)

Corriente directa (AV): 25A. IFSM: 225A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 55pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 23 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Soft Recovery Diode. Resonancia magnética (máx.): 600uA. Resonancia magnética (mín.): 1.5uA. Equivalentes: VS-HFA25TB60-M3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--225Ap

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 19 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra Fast Soft Recovery Diode. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 25. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms

Corriente directa (AV): 6A. VRRM: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Nota: D30. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo de pequeña señal Montaje en superficie (SMD). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOD80C (MiniMELF). Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 0.15A. Ifsm [A]: 2A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 25nA..50uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 4 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C. Tensión directa Vfmax (V): 1V @ 10mA. Vivienda (norma JEDEC): 0.5W

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Cj: 4pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificadores de conmutación de alta velocidad. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.62V. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us)

Corriente directa (AV): 1A. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: SAMSUNG

Corriente directa (AV): 0.1A. VRRM: 80V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Nota: diodo de silicio dual

Vivienda: SOD123. VRRM: 30V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.5A. Tipo de diodo: choco. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): 0.43V / 0.5A. Tipo de montaje: SMD. Corriente de fuga inversa: 130uA / 30V. Serie de productos: MBRB. MSL: 1

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220A-2P. VRRM: 100V. RoHS: sí. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Resonancia magnética (máx.): 6mA. Resonancia magnética (mín.): 0.1mA. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.71V

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 0.008mA. Resonancia magnética (mín.): 8uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.88V. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky dual. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 0.008mA. Resonancia magnética (mín.): 8uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.88V. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky dual. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Corriente directa (AV): 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-2P. VRRM: 200V. Material semiconductor: Sb. Nota: Diodo rectificador Schottky. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 0.2mA. Resonancia magnética (mín.): 0.2mA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.99V. Tensión directa Vf (mín.): 0.87V. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky dual. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Corriente directa (AV): 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Material semiconductor: Sb. Nota: B1045. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB